El applet muestra la variación de la conductividad de un material semiconductor en función de la temperatura. También representa cómo varían las movilidades de electrones y huecos en función de la temperatura.
Se puede tener al semiconductor dopado con impurezas aceptoras y donadoras a la vez. Para seleccionar la concentración de ambas se utilizan las dos escalas de la parte inferior. La flechas rojas son vóviles y pueden ser arrastradas con el ratón para modificar las concentraciones Na y Nd. El programá mostrará para los valores seleccionados dos gráficas que representan las conductividad y las movilidades de huecos y electrones para un amplio rango de temperaturas (en grados Kelvin).
Entre estas dos escalas se muestran la concentración intrínseca y la de huecos y electrones en equilibrio para T=297K y para los valores seleccionados de los parámetros del semiconductor. A la derecha de muestran los valores numéricos que tienen actualmete las concentaciones Na y Nd.
En el panel superior hay seis elementos que permiten modificar ciertos parámetros del semiconductor, el tipo de semiconductor y permiten iluminar/oscurecer la muestra.
Se puede iluminar el semiconductor con una luz que rompa enlaces con el control Iluminar. Si se marca esta opción estarán accesibles también otros dos controles que permiten modificar la tasa de ruptura de enlaces GL y el tiempo de vida de los minoritarios. Si se vuelve la muestra a oscuridad (dehabilitando el contol Iluminar), estos dos controles se deshabilitarán también.
Al iluminar la muestra aparecen entre las dos escalas inferiores las concentraciones de huecos y electrones en desequilibrio, además de las correspondientes al equilibrio, que se siguen representando para ver el incremento en la concentración que supone la iluminación de la muestra. Al eliminar la iluminación desaparecen las concentraciones en desequilibrio y sólo se muestran las correspondientes al equilibrio.
Con otro control del panel superior se puede cambiar el tipo de semiconductor representado, pudiéndose elegir entre Si, GaAs y Ge. Al cambiar el tipo del semiconductor se modifican en la simulación todas las características físicas con las que se obtienen las dos gráficas y la concentración intrínseca.
Por último, los otros dos controles se pueden usar para modificar las distancias de los niveles Ea y Ed respecto de las bandas de valencia y de conducción respectivamente.
Autor: Juan M. Villalba Bravo
Coordinador: Eduardo Casilari Pérez