Introducción | Tutorial del applet

Introducción

Concentración de portadores y nivel de Fermi.

Las cantidades en rojo - Na (impurezas aceptoras), Nd (impurezas donadoras), T (temperatura), Ea (nivel de energía aceptor), y Ed (nivel de energía donadorl) – pueden variarse arrastrando la marca correspondiente. Con esos cambios, el applet calcula n (concentración de electrones), p (concentración de huecos), ni (concentración intrínseca), Ei (nivel de energía intrínseco) and Ef (nivel de Fermi).

En lugar de similar con precisión la dependencia con la temperatura, el programa muestra la dependencia que proporcionan los mecanismos estadísticos. Es decir, latemperatura depende solamente de la distribución de Fermi-Dirac. Se ignora la variación del ancho de banda prohibido y de otros parámetros del material. La temperatura no podrá ser muy baja (25 K). Esto se debe a que los términos como Exp(E/kT) se hacen muy grandes o muy pequeños para valores bajos de T, haciendo el análisis numérico más difícil. El rango de temperatura de temperatura disponible es lo suficientemente grande como para ver los aspectos más importantes.