Introducción
|Tutorial del applet
Tutorial del applet
En este applet podemos ver un conjunto de
5 diagramas:
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En el primero de ellos tenemos el esquema del dispositivo donde se aprecia
el tocho de semiconductor cuyo color dependerá del tipo de impurezas
con las que está dopado.
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A continuación tenemos el perfil de impurezas con las que dopamos
el Si. Este perfil lo podemos variar mediante el panel de control que tenemos
al final del applet. En el diagrama tenemos información sobre
las características seleccionadas para el perfil de dopaje. Además
podemos observar los procesos de difusión y arrastre mediante las
flechas que indican el sentido de las corrientes producidas por dichos
mecanismos.
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El tercer diagrama tiene representado el campo eléctrico en el interior
del semiconductor, así como la información correspondiente
al valor máximo de campo.
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Justo debajo podemos apreciar el potencial eléctrico correspondiente
al perfil de campo anterior.
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Por último tenemos el diagrama de bandas de energía donde
vemos en color verde en nivel intrínseco y en color violeta en nivel
de Fermi.
Con los botones de la parte superior podemos ocultar o mostrar los
diagramas correspondientes al campo y potencial eléctricos y al
diagrama de bandas de energía si queremos prestar mayor atención
a un determinado aspecto del dispositivo.
En el panel de control inferior podemos seleccionar
el tipo de semiconductor y el perfil que tendrán las impurezas dentro
del mismo. Podemos elegir entre un perfil exponencial o lineal. Los dos
controles del final indican la concentración de impurezas en los
bordes del semiconductor. El primero para la parte inicial y el segundo
para el final. Con la característica de que el perfil siempre será
decreciente debido a la simetría del dispositivo.