Introducción | Tutorial del applet

Introducción

El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es uno de los dispositivos basados en la modulación de la conductancia de un canal a través del cual circula una corriente de portadores mayoritarios. La modulación de la conductancia se logra, en el JFET variando la sección transversal del canal mediante la variación de la anchura de las zonas de carga espacial de las uniones inversamente polarizadas.

La corriente en un JFET es transportada por un solo tipo de portadores, los mayoritarios, que circulan fundamentalmente por arrastre. Se dice que es un dispositivo unipolar, en contraste con el transistor de unión que es un dispositivo bipolar.

Se tienen tres contactos, como puede verse en el applet, para los terminales de fuente, puerta y drenador. La corriente, circulará entre drenador y fuente, que son intercambiables, a través del canal formado entre la región de puerta y el substrato; canal cuya anchura efectiva puede variarse mediante una tensión inversa aplicada a la unión de puerta.,Habitualmente el substrato y la puerta están conectados entre sí.